【摘 要】
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近年来,基于电阻转变效应的电阻随机存取存储器(RRAM)成为了研究热点 [1].多铁性BiFeO3 薄膜也表现出了电阻转变效应 [2],这为其实际应用提供了新的方向.为了研究A 位Ba掺杂对电阻转变效应的影响,采用脉冲激光沉积法(PLD)在导电的SrTi0.99Nb0.01O3(100)单晶衬底上制备了Bi1-xBaxFeO3(x = 0,0.1,0.2)薄膜.X 射线衍射结果表明：薄膜均无明显的
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100124;天津职业技术师范大学理学院,天津,300222
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近年来,基于电阻转变效应的电阻随机存取存储器(RRAM)成为了研究热点 [1].多铁性BiFeO3 薄膜也表现出了电阻转变效应 [2],这为其实际应用提供了新的方向.为了研究A 位Ba掺杂对电阻转变效应的影响,采用脉冲激光沉积法(PLD)在导电的SrTi0.99Nb0.01O3(100)单晶衬底上制备了Bi1-xBaxFeO3(x = 0,0.1,0.2)薄膜.X 射线衍射结果表明：薄膜均无明显的杂相,且沿(100)方向取向生长.电流- 电压(I-V)测试结果显示：所有样品都表现出不同程度的滞后现象,且随着Ba 掺杂量的增加,滞后现象越来越显著.此外还发现,随着Ba 掺杂量的增加,样品的电阻开关比和保持特性都有所提高.以上实验结果说明：Ba 掺杂有助于提高BiFeO3 薄膜的电阻转变效应,其原因可能是Ba2+ 取代A 位的Bi3+ 会在BiFeO3 薄膜中引入更多地氧空位.因此,Ba 掺杂BiFeO3 薄膜可作为下一代非挥发性存储器——电阻随机存储器(RRAM)的候选材料之一.
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