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报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术.对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化.根据优化结果,制作出了性能优良的高速双极晶体管.
高速双极晶体管工艺条件的优化研究
【摘 要】
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报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术.对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对
【机 构】
：
中国科学院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2005年2期
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