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本文介绍了掺InBiCaVIG单晶的制备,结果表明该材料具有小的|K_1/M_s|和△H,低的4πM_(?),高的θ_c,较之GaYIG更适用于低频器件。对......
研究了Ｚｎ~＋离子注入ｐ－ＧａＰ半导体所引起的缺陷。在电流密度为０．０３μＡ／ｃｍ~２下，将注入Ｚｎ~＋离子剂量为１×１０１~（１４）离子／厘米~２的ＧａＰ样品腐蚀出蚀坑后用ＳＥＭ观察，结果表明，在离子......
文章论述了化纤设备纺丝机部件二浴槽制作中的成功经验,主要目的是通过在作胎膜、下料划线折弯、调型、组对、焊接等各工序中,采取......
