日盲紫外雪崩探测器相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

日盲紫外雪崩探测器相关论文

高增益AlGaN日盲雪崩雪崩光电探测器及暗电流机制分析

AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调，覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段，是制备紫外短波长发光和探测器件不可替......

学位

日盲紫外雪崩探测器氮化铝镓光电化学处理工艺极化禀性结构设计暗电流机制

AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器暗电流研究

为了提高AlGaN日盲紫外雪崩探测器的信噪比,降低暗电流,研制高性能日盲紫外探测器,针对AlGaN日盲紫外雪崩探测器暗电流机制进行了......

期刊

AlGaN 日盲紫外雪崩探测器暗电流负极化效应

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