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该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气......
采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导......
用光荧光谱(PL)方法研究了无杂质空位诱导(IFVD)InGaAs/InP多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移. 实验中选用Si3N4作为电介质层,用以产生......