掺杂ZnO相关论文
氧化锌（ZnO）是重要的Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带系半导体材料,具有良好的电学性能、高温稳定性及抗氧化性,并且还具有资源丰富、无污染、易掺......
研究了掺杂ZnO对TiO_2-V_2O_5-Li_2O系湿敏材料结构及性能的影响.结果表明:掺杂ZnO改善了材料微结构,提高了材料的硬度、烧结温度......
采用溶胶-凝胶法制备了Mg和Mn共同掺杂的ZnO纳米薄膜，并对其结构、光学和磁学性质进行了表征．结果表明：样品具有六角纤锌矿结构，退火过......
利用LDA + U方法计算ⅢA族元素Al、Ga、In掺杂ZnO晶体的能带结构、形成能和跃迁能级,讨论ⅢA族元素掺杂ZnO晶体结构的稳定性和电离......
应用晶粒生长动力学唯象理论研究了TiO2对ZnO压敏陶瓷的晶粒生长规律的影响,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长动力学指数和激......
最近十几年人们对 Zn-M(M = A13+,Ga3+,Cr3+,Ti4+,Ce4+)类的混合金属氧化物(MMO)在光催化和光电器件领域中进行了大量地研究。以水......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体材料,具有独特的物理和化学性质,在发光二极管、气体传感器和太阳能电池等领域有着广阔的应用前景......
以均匀沉淀结合微波法制备了Sn、Ag、Al（Sn、Ag、Al与Zn的摩尔比分别为：1∶9,1∶40,1∶20）共掺杂的ZnO型光催化剂,用其降解水体中的甲......
ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体，其禁带宽度为3．37eV，激子束缚能为60meV，在短波光电器件上具有很大的潜力，使得ZnO成为当今半导体材料研究领......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对C/F单掺杂ZnO和C-F共掺杂ZnO的O位体系进行了研究,讨论了掺杂体系的稳定性、电子结构......
ZnO是一种在多个方面有着极大应用前景的材料,比如,压电传感器、透明导电氧化物、气体传感器、自旋功能器件和紫外光发射器等等。......
随着红外探测技术的进步,红外隐身材料的发展也越来越快。红外低发射率涂层作为隐身材料的一种,占有非常重要的地位。填料是涂层的......
ZnO纳米材料由于其在自旋功能器件、紫外发射器、气体传感器、压电传感器等方面有着潜在的运用，近十年来受到研究者们的广泛关注。......
掺杂ZnO导电粉因其具有较高的电导率，白度高，环保无毒等优点，已经成为国内外研究的热点。主要用于抗静电领域，市场需求量与日俱增，具有......
自旋电子器件由于同时具备电子的电荷属性和自旋属性,可以极大地提高信息的处理和传输速度,扩展信息的存储能力。ZnO稀磁半导体在......
吸波材料由于能够吸收衰减入射的电磁波,减少电磁波辐射,在军事和民用方面的应用日益重要。本论文以制备性能优良的微波吸收材料为......
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对GTZ......
