异质结电池相关论文
采用钛掺杂氧化铟旋转靶制备透明导电薄膜应用在晶硅/非晶硅异质结电池上。在不同氧含量下,研究钛掺杂氧化铟薄膜（T100薄膜）的光电性......
本文从理论上研究了晶体硅与黄铜矿类半导体形成异质结太阳能电池的可能性，构造出基于p或n型硅片的不同异质结电池npp+或pnn+结构。......
研究开发透明导电氧化物(TCO)薄膜技术,对提高异质结电池光电转换效率、进一步提升发电量、降低度电成本具有促进作用。分析了异质......
在异质结电池中,窗口层的制备是非常关键的一步.功率对PECVD法制备窗口层材料有重要影响.本文使用不同功率制备窗口层材料,将其应......
异质结(HIT)太阳电池作为备受关注的新型高效太阳电池,它是在单晶硅表面沉积非晶硅薄膜制备而成的,所以将绒面结构的单晶硅衬底用......
本文通过对n型非晶硅薄膜进行CO2掺杂，在一定程度上可以降低SHJ太阳电池的寄生吸收，改善其短波光谱响应。但是CO2的掺杂浓度如果过高......
用射频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在100℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到73%,同时改变薄......
采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特......
采用afors-het数值模拟软件,针对a-Si（n）/a-Si（i）/c-Si（p）电池结构的非晶层主要参数,模拟研究并讨论了异质结电池的发射层厚度、发射层掺......
分别用三源共蒸发法和以源共蒸发法制备出ＣｕＩｎＳｅ２（简称ＣＩＳ）膜和ＣｄＳ膜，ｐ型ＣＩＳ与ｎ型ＣｄＳ组成异结太阳电池。提高此种太阳电池性能的关键是必须严格控制工艺条件......
采用HWCVD技术在P型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅／晶体硅异质结太阳电池，测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和......
在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结（SHJ）太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注．在晶体硅衬......
丝网印刷是生产晶体硅电池重要的工序之一,它的主要目的是在硅片的表面制备出精细的电路,收集光生载流子并导出电池,也就是形成太......
本刊讯近日,东方日升新能源股份有限公司(简称'东方日升')携带全新的技术研发成果HDT(Heterojunction Doubleside Technol......
太阳能是取之不竭的清洁能源，如何将太阳能转化为可使用的能源，用于解决人类的能源危机，提高太阳能电池效率成为了关键技术。当今晶体......
在晶体硅表面沉积本征非晶硅层的异质结(SHJ)太阳电池以其高效率、高稳定性、低成本和低温制备等诸多优势被人们广泛关注.在晶体硅......
本文叙述了ZnTe作衬底的ZnSe液相外延生长法(LPE)。根据Zn-Te-Se三元相图的计算,以Te-Se-ZnTe作溶剂,解决了ZnTe衬底的回熔,成功地......
