该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以......