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该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以上，在１．３μｍ处量了效率为０．１℅。
SiGe\Si多量了阱PIN光电探测器
【摘 要】
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该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以上，在１．３μｍ处量了效率为０．１℅。
【机 构】
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光电子国家联合重点实验室中科院半导体所
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年12期
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