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在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时，常常出现电流坍塌的问题．研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT直流及高频......
在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明......
