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Si双晶基片上制备的高温超导Josephson结及其特性
该文研究了10x10mmSi双晶基片上制备高TcYBCO DC-SQUIDs工艺及其特性。实验 中采用脉冲激光沉积技术在24°Si(100)双晶基片上原位......
会议
双晶基片
高温超导
脉冲激光沉积技术
特性
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工艺
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