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势垒层刻蚀相关论文
基于AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术研究
基于第三代半导体的材料优势,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波通信、电力控制、雷达航天等领域应用潜力巨大。欧姆接触是......
学位
AlGaN/GaN HEMTs
欧姆接触
势垒层刻蚀
电应力
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