共振缺陷态相关论文
提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)～4......
在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的......
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