p-i-n二极管相关论文
文章依据较高线电压的扩展比较了具有扩展安全工作区(SOA)的2个4.5kV二极管。为了改善反向恢复特性,必须降低通态过程中靠近阳极的......
随着科技的发展,对系统功能的需求越来越多,具备可重构特性的器件受到了越来越多的关注。微波功率分配器作为一个关键的器件被大量......
该文主要叙述波导结构7.5GHz“0/π”调相器的设计方法以及动态和静态两种测试方法，并给出了测试结果。“0/π”调相器是用连续方波......
采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工......
介绍了一种采用p-i-n开关设计的单路选通开关矩阵。通过合理设计p-i-n二极管的直流反偏电压,解决了p-i-n开关矩阵承受功率的设计问......
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重......
设计了一个混合P-i-N和多晶硅/4H-SiC异质结的二极管结构(MPH diode)。当正向偏置时,异质结区在低电压下开启,随着正偏电压的不断......
功率快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)常与全控型开关器件反并联构成完整的开关模块,在电路开关过程中起提供回路能量泄放的......
