采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长......

采用ICP-AES法测定了Ga^3＋：KTP晶体中掺质Ga^3＋离子含量，并由此得出Ga^3＋离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0．0373；采用静电计和......

采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb^＋和Cs^＋的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长......