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采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb^＋和Cs^＋的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb^＋和Cs^＋的分配系数分别为0.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长。通过掺Rb^＋或Cs^＋,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350～1100nm范围内的光透过性质未受影响。