ZnO纳米纤维相关论文
采用静电纺丝法成功制备了Y掺杂的ZnO纳米纤维.并通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),能量色散X射线(EDX),透射电子显微镜(TE......
应用静电纺丝法制备了Zn（Ac）/PVP复合纳米纤维,经650℃煅烧后得到直径为95 nm的ZnO纳米纤维.分别采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射......
利用静电纺丝技术制备了纯的和Ce掺杂的PVP/Zn（Ac）2复合纳米纤维,经650℃煅烧得到直径分别为70nm和50nm的纯ZnO和Ce掺杂ZnO纳米纤维.......
为改善Zn O对丙酮的气敏响应,采用静电纺丝法,利用PVP/Zn（NO3）·6H2O/Y（NO3）3·6H2O等制成的前驱液,制备了钇掺杂的Zn O纳米纤......
探索了在空气中纺丝法制备高效率ZnO纳米纤维：P3HT：PCBM杂化太阳能电池的方法（简称ZnO：P3HT：PCBM电池），通过调控ZnO纳米纤维的纺丝时间，制......
以PAN为络合剂,结合Zn(AC)2·2H2O配置前驱体溶液,采用静电纺丝的方法制备了PAN/Zn(AC)2复合纤维,通过煅烧得到分布均匀的ZnO......
气体传感器作为检测气体成分及浓度的重要工具在众多领域扮演着十分重要的角色,金属氧化物半导体传感器因价格低廉、灵敏度高、响......
ZnO是一种禁带宽度为3.37eV的宽禁带n型半导体,是重要的光学及电子材料。随着纳米技术的发展,ZnO纳米材料的制备及应用取得了重要......
Zn O纳米材料具有p H敏感特性,可以用作基于p H响应的靶向药物载体。同时Zn O纳米材料本身是一种光敏剂,可在特定波长照射下产生活......
ZnO是一种宽禁带、直接带隙II-VI族化合物半导体,它的禁带宽度为3.37eV,在室温下,它的激子结合能可达60meV,具有六方纤锌矿结构,属......
