采用LMTO ASA能带计算方法 ,研究 (Si2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Al) 6 (0 0 1 ) ,(Ge2 ) 3(2Au) 6 (0 0 1 )和 (Ge2 ) 3(2......

基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计......

采用射频磁控溅射方法分别在玻璃、A1片和ITO玻璃上制备出性能优良的TiO2纳米薄膜,研究了薄膜光催化性能.通过XRD、SEM和UV-Vis吸......

阻变随机存储器（Resistance Random Access Memory,RRAM）是通过器件的电阻态可逆变化进行数据存储的一类存储器。它以简单器件构成（金......

采用全耗尽非对称双Schottky势垒模型,以Pt/Pb（Zr,Ti）O3/Pt（Pt/PZT/Pt）三明治结构铁电薄膜电容为例,对铁电薄膜的漏电行为及其电滞回线......

总结了ZnO陶瓷压敏效应的特点,归纳了ZnO压敏陶瓷导电机理与显微结构之间的内在关系,分析了关于Schottky势垒起源的各种物理模型与......