在常温下，我们通过共蒸发法制得Sb2Te3 薄膜，制备出的薄膜在氮气氛围下做了不同条件的退火处理.为了研究退火对薄膜的性能的影响，我们......

我们采用脉冲激光(PLD)法，通过控制沉积时间制备了一组不同厚度的Sb2Te3薄膜.XRD谱表明了Sb2Te3薄膜沿着(001)面的方向外延生长.......

超分辨近场结构光存储技术(Super-RENS)是一种利用功能薄膜结构实现突破光学衍射极限的信息点记录和读取的新技术，作为超分辨光盘结......

采用离子束溅射技术交替沉积Sb-Te-Sb多层薄膜后进行高真空热处理,直接制备Sb2Te3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、霍尔系数测试仪、薄......

采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜.将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......

文章以高纯Sb和Te为锑源和碲源，使用分子束外延（molecular beam epitaxy ，MBE）设备，在超高真空条件下外延生长拓扑绝缘体薄膜。通过XRD（X......

采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb—Te薄膜，在N2气氛中进行573K退火处理，制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜。将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......

本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1h的条件下,对所制备......

碲化锑(Sb2Te3)属于V-VI硫系基半导体材料,根据Ovshinsky所提出的奥弗辛斯基电子效应,Sb2Te3在生长过程中可以实现晶态与非晶态之......