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本文报导了2K下,在GaAs(100)衬底上用MOCVD方法生长的ZnSe-ZnS多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱,用共振激发,共振喇曼和共振瑞昨散射等方法对各发光谱带......
采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先......