采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓ ＭＳＭ光电探测器，用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电......