描述了ONO反熔丝的物理结构，采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时，其内部电子一空穴的运动规律。分别对ONO反熔......

基于1．0μmONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺，主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ONO反熔丝器件特性的影响。研究发现，采用非掺杂多晶硅......

基于1.0μm ONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔......