非晶铟镓锌氧化物(IGZO)凭借其简单的制备工艺,以及优异的迁移率能而成为TFT制备的理想材料.本文采用直流磁控溅射方法在玻璃基板......

采用电子束蒸发法制备了单层TiO2薄膜,控制O2流量从10mL/min以步长10mL/min递增至50mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......