MOVPE生长相关论文
GaN是重要的宽禁带化合物半导体材料,广泛应用于制备蓝光LED、半导体激光器和高频大功率半导体器件。了解GaN的表面反应机理,对于......
研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法。发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下,氮化镓的电子浓度......
本文基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图,GaN的MOVPE相图由GaN(s)单聚集相区,GaN(s)+Ga(l)双凝聚相区,表面会形......
本文给出了带有In0.49Ga0.51i包层的InGaAs-GaAs应变量子阱激光器实验结果。镀有AR-HR膜、并有p-nInGaP电流阻挡结的掩埋异质结激光器,在连续波(CW)和室温(RT)下,给出3.1mA的低阈值电流和......
MOVPE生长不掺杂GaAs薄层的线偏振光吸收系数电流感生变化△α的实验结果表明,△α随光波长λ呈脉冲线型非线性变化;注人电流增加,......
提出一个以TMGa,TMAl,TMIn和MH3为源,用MOVPE方法在生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元......