K掺杂相关论文
以拉丝用MoO2、KOH、硅酸、Al(NO3)3·9H2O为原料,采用不同的掺杂配比进行相同工艺下的掺杂、还原和烧结实验,剖析和讨论了加工工艺......
四氧化三姑(Co3O4)是一种典型的p型半导体气体传感材料,如何有效改善Co3O4材料的气敏性能是研究人员关注的热点。论文采用水热法通......
通过柠檬酸络合法制备了一系列钙钛矿型催化剂La1-xKxMnO3(x=0.0~0.5).通过程序升温氧化反应测试了催化剂同时去除碳烟颗粒物和NOx......
稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷属性而引起了人们的关注。2000年,Dielt等人通过理论计算预言了Mn掺杂p型ZnO中室温铁......
采用EDTA-柠檬酸联合络合法合成了La0.7Sr0.3-xCaxFeO3(LSCaF;x=0,0.1,0.15)和La0.7Sr0.3-xKxFeO3(LSKF;x=0,0.01,0.05)系列阳极材......
以K2CO3,CaCO3和Co2O3为原料,利用微波方法合成了系列样品Ca3-xKxCo4O9(x≤0.30).随着K掺杂量的增加,晶格单斜应力在0≤x<0.10范围......
采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介......
对碳纳米管掺杂特性的了解是控制其价电子的关键.研究发现:单壁碳纳米管进行K掺杂后,其电阻率和转折温度 T (高于此温度后,dρ/d......
采用Sol~Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电......
本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相......
通过透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)对Si、Al、K掺杂烧结钼条和退火钼丝的组织形貌进行了跟踪检测分析;通过DSC和硬度试验......
以Li2CO3,SiO2为固相反应物,同时以K2CO3作为K掺杂源,制备了一系列可在高温下(300~800℃)吸收CO2的K掺杂硅酸锂陶瓷材料,利用XRD,e......
以聚酰亚胺(PI)为衬底的柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具备质量比功率高、可弯曲、轻质、适合卷对卷沉积规模化生产等特点,是当......
本论文的工作分成两个部分,第一部分主要涉及ZnO基半导体的p型掺杂及器件与ZnO基稀磁半导体薄膜的制备与性能研究;第二部分主要关于......
石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种二维层状半导体材料。近年来,由于其具有简单的合成方法、独特的能带结构、优良的化学稳定性,以及原材......
利用溶胶-凝胶旋涂法(sol-gel)在玻璃衬底上制备了不同K掺杂量的K-N共掺ZnO薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫......