InGaN薄膜相关论文
采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni......
InGaN薄膜是研制空间用全光谱高效率多结太阳电池的理想材料之一,本文实验研究了MOCVD技术生长InGaN薄膜的表面形貌和光致发光特性......
该文围绕InGaN量子点的MOCVD生长及及性质展开了大量的研究.首先,用SiH作为抗表面活化剂减小GaN薄膜的表面能,从而使InGaN在其表面......
InN和富In的InGaN材料具有直接带隙，可作为长波长发光器件的有源区；随In/Ga组分的变化，这类材料的吸收边和太阳光谱非常匹配，可应用在......
采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电......
【目的】研究p-Si衬底掺杂浓度对InGaN/Si异质单结太阳电池性能的影响,为制备高效太阳电池提供理论基础。【方法】将器件的n-InGaN......
三元合金氮化铟镓(InGaN)由于其禁带宽度能够在0.7eV(近红外)-3.4eV(近紫外)连续调节而受到各国科学家及学者广泛的研究。特别是高......
