n-In_(0.35)Ga_(0.65)N/p-Si异质结的制备及其电学性能研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ylovew

【摘要】

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采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[

【作者】

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王婷赵红莉郭世伟姚娟李爽符跃春沈晓明何欢

【机构】

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广西大学资源环境与材料学院

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

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2021年3期

【关键词】

：

脉冲激光沉积 n-In_(0.35)Ga_(0.65)N/p-Si异质结 INGAN薄膜整流特性半导体 pulsed laser deposition n-

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61474030),广西自然科学基金(2015GXNSFAA139265),中国科学院重点实验室开放基金(15ZS06),广西科学研究与技术开发科技攻关计划(1598008-15),南宁市科学研究与技术开发科技攻关计划(20151268)

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采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35%。霍尔(Hall)效应测试表明In 0.35 Ga 0.65 N薄膜呈n型半导体特性,具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率。I-V曲线分析表明In_(0.35)Ga_(0.65) N/p-Si异质结具有良好的整流特性,在±4 V时的整

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