本文综述富In的InGaN材料的研究现状，主要包括InN，InGaN材料体系所涉及到的物理问题，材料生长机制，器件的制备及所面临的困难，并重点讨......

InGaN材料具有优良的物理特性、化学特性、光学性质、电学性质以及优异的材料机械特性。它的禁带宽度大、击穿电场高、电导率大等......

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宽禁带GaN基半导体材料由于其优越的物理和化学特性，在制备高温、高频大功率微电子器件方面具有巨大潜力和广阔应用前景，GaN基微电子......

InGaN材料因其具有直接带隙、高吸收系数、抗辐射特性、连续可调的禁带宽度等优秀的光电特性，被认为是最有前景的太阳能电池材料。......

以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料为直接带隙材料，在光电领域有着广阔的应用前景，如用来制作发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)等......

本文通过TiberCAD模拟软件对GaN/InGaN量子阱太阳电池从宏观到微观进行了多尺度模拟,对GaN/InGaN单量子阱太阳电池和GaN/InGaN多量......

研究了生长在GaN／Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构形态，并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相，采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光......

研究了高能粒子辐照对InGaN材料的电子浓度变化和PL光谱强度在不同温度下变化的影响。高能粒子辐照使InGaN材料的电子浓度明显增加......

随着计算机技术和计算物理学的发展，利用计算机软件模拟和预言材料物理和化学性质越来越成熟，第一性原理计算的理论计算方法已经成为......

利用密度泛函理论和广义梯度近似的超软赝势方法,计算了含有髙组分In的InGaN材料的晶格常数、形成能和能带结构.结果表明：晶格常数......