随着计算机技术和计算物理学的发展，利用计算机软件模拟和预言材料物理和化学性质越来越成熟，第一性原理计算的理论计算方法已经成为当今物理学的一个重要的研究手段.本文主要采用了基于密度泛函理论的第一性原理的计算方法，研究了在富In的条件下，InGaN材料的晶格结构和电学性质.计算过程中，替代掺杂Ga原子的比例依次为0，0.04167，0.08333,0.125,0.16667,0.20833.此外，我们还对富In的InGaN材料的金属原子间隙点缺陷结构对其电学性质的影响进行了计算和分析.研究结果表明,在富In的条件下，Ga原子替代In原子有最低的形成能，随着Ga原子浓度的升高，形成能略有下降趋势.Ga原子间隙形成能相对较高，In原子间隙缺陷的形成能最高，表明在InGaN材料的生长过程中，Ga原子主要以替代In原子的形式出现在原先InN材料中In原子的位置上.InGaN的材料的晶格常数随着Ga原子的浓度的增加而减小，在c轴方向上较好地满足了Vegard定律，其它方向上则并不满足.纯净InN材料是直隙半导体材料，Ga原子替代In原子后形成的InGaN材料仍然是直隙半导体材料.对态密度的分析表明，导致带隙变宽的主要原因是由于掺杂的Ga原子4s态电子与N原子2p态电子的相互作用.随着Ga原子浓度的升高，InGaN材料的带隙在逐渐增大，但增加的幅度要比Ga原子浓度增加的幅度要小.对间隙点缺陷的研究表明，In原子和Ga原子间隙点缺陷导致富In的InGaN材料的带隙变宽，禁带区域对应的能量上升，该缺陷可能是导致InGaN材料带隙变宽的原因之一.对比分析发现，我们的结果与实验和其它理论计算的结果基本一致.