HfTiO相关论文
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
通过不同气体（NO、N2O、NH3）对Ge衬底进行表面预处理，生长GeOxNy界面层，然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜，制备HfTiO/GeOxNy叠层......
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数（k）栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元......
采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数K栅介质薄膜，研究了不同气体（N2、NO、N2O）淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体（MOS......
采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气......
采用磁控溅射方法，在Si衬底上淀积HfTiO高k介质，研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明，由于NO氮化退火能......
采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度（EOT）的HfTiO高κ栅介质薄膜，研究了湿N2和干N2气氛退火对Ge MOS电容电特......
Surface pretreatments for preparing HfTiO/GeOxNy stack gate dielectric on n-Ge substrate have been investigated.Excellen......
采用溅射法淀积一层LaON薄膜作为钝化层,制备了HfTiO栅介质Ge MOS电容,并对它们的电特性进行了仔细研究。HfTiO/LaON堆栈栅介质Ge ......
