用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和......

根据半导体理论并结合实验结果，分析了以GeSi／Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明：当锗含量x=0．6时，探测器的暗电......

介绍ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变新材料探测器的制作方法，它不仅与Ｓｉ微电子工艺相兼容，而且还可调节Ｇｅ含量使其禁带宽度满足现代光纤通信器件的要求。 GeSi / S......