Gd@C82相关论文
本文研究并获得了电弧放电法制备内嵌金属富勒烯Gd@C82的最佳工艺条件:氦气压力0.08MPa,摩尔比Gd:C=1:15-1:20,活化电流200A,活化......
用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性。STM形貌像显示Gd@C8......
研究了用电弧法制备金属富勒烯Gd@C82的方法,并发现了用N-甲基吡咯烷酮在高温高压条件下提取Gd@C82效率高,选择性好.......
