Ag掺杂ZnO相关论文
ZnO是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料,其室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。此外,ZnO还具有来源丰富、价格低......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO,Ag掺杂和Ag-Al共掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了Ag掺杂......
紫外光存在于地球上的各个角落,紫外检测技术也被广泛应用于人类的生产生活中,如化学分析、环境分析、生物分析、火焰报警、紫外干......
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了在富氧和富锌条件下单原子Ag和多原子Ag掺杂ZnO的缺陷形成能.结果表明：在富氧条件下......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究......
