APMOCVD相关论文
Atmospheric pressure MOCVD was used to deposit ZnO layers on sapphire and homoepitaxial template under different oxygen ......
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报道了用国产ＡＰＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ材料。研究了ＧａＮ过渡层生长温度、氮化时间、Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＮ外延层晶体质量、光学性质的影响。发现低温生长ＧａＮ过渡层和氮......
本文报道了用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰＭＯＣＶＤ）法在Ｓｉ衬底上制备高质量的钛酸钡铁电薄膜，钡的β－二酮螯合物（Ｂａ（ＤＰＭ）２）和异丙氧基钛（ＴＩＰ）作为金属有机源，在衬底......
在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料......
