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40nm沟槽刻蚀相关论文
等离子体干法刻蚀低介电常数绝缘材料的主要问题与解决办法
随着高集成度的超大规模电路的飞速发展,器件尺寸逐渐缩小,RC延迟成为除器件的特征尺寸外决定器件功能的最主要因素之一。RC延迟大......
学位
等离子体干法刻蚀
低介电常数材料
RC延迟
侧壁损伤
40nm沟槽刻蚀
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