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通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的Ⅰ-Ⅴ关系式,并进行了分析比较.由于几何结构上的差异,......
本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特......
采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞(HgCdTe)环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与......
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法，并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD—V特性进......
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法，并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行......
