化合物半导体材料相关论文
Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电......
氮化镓(GaN)是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、......
砷化镓(Gallium Arsenide，GaAs)作为第二代化合物半导体材料，拥有直接宽带隙双能谷的能带结构特性，并且凭借其优越的光电特性在光电子......
ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，禁带宽度为3.37 ev，室温下激子束能为60 meV，是制作短波长激光器以及紫外探测器的理想材料。......
硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件，如调制器、光放大器和发光二极管等。人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比，其发光......
据媒体报道，国内最大的砷化镓材料生产基地——中科晶电信息材料（北京）有限公司量产揭幕仪式近日在京举行。这标志着我国砷化镓材料生......
1 5G通信技术发展背景及对关键材料性能的要求1.1 5G通信技术发展背景信息技术领域已成为提升国家科技创新实力、推动经济社会发展......
自1952年提出A~NB~((?)-N)的化合物具有半导性以来,极大地促进了对半导体材料的制备和研究。随着半导体器件向超小型、高速、高频......
本文主要对GaN外延膜和InAs量子点等两种Ⅲ-V族化合物半导体材料进行研究。采用分子束外延系统生长样品,完善制备工艺,并研究其发......
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.......
<正>1 Ga As材料和太阳电池的特点以Ga As为代表的III-V族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢?这与它们材料的特性,以及所......
<正>氮化镓(Ga N)是被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代Ga As、In P化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。由于Ga N材料......
<正>近日,华为在巴塞罗那发布了全球首款5G商用芯片—巴龙Balong5G01,率先突破了5G终端芯片的商用瓶颈,抢在了苹果、高通之前。华......
<正> 镓(Ga)属于稀散金属,具有银白色的光泽。镓性质较软,可用刀切,其熔点很低,仅29.75℃,放在手上即熔化成液体。镓是1875年发现......
<正>由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件......
化合物半导体集成电路具有超高速、低功耗、多功能、抗辐射等特性而被和泛应用,GaAs、GaN、SiC为主要应用的化合物半导体材料。简......
在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(......
5G通信技术发展背景信息技术领域已成为提升国家科技创新实力、推动经济社会发展和提高整体竞争力重要的动力引擎。5G是开启工业数......
