Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电子器件的基础材料之一,在半导体激光器、太阳能电池、探测器的制备中得到广泛的研究与应用。金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是一种利用金属有机化合物在半导体晶圆上沉积超薄单晶层的技术,因其可以生长厚度和杂质均匀分布的薄层及异质多层结构,在半导体薄层、低维结构、光电器件的生长中获得广泛的应用。但是,在使用MOCVD技术外延生长Al Ga As材料时,由于原材料为有机源,使得Al Ga As材料中存在较强键能的Al-C键,造成材料本底掺杂浓度过高,以及N型Al Ga As材料难以获得等生长问题,进而对其在器件上应用产生很大的影响。针对上述问题,本论文采用MOCVD技术,在半绝缘Ga As衬底上,开展Alx Ga1-xAs材料的生长制备及性能表征研究。探索N型Al_xGa_1-xAs材料的制备方法,分析了掺杂量对不同组分Al_xGa_1-xAs材料电学性能的影响,掌握不同掺杂量下Al_xGa_1-xAs材料载流子浓度分布规律。同时,开展了本征态Al_xGa_1-xAs材料中的非故意C掺杂的作用机理研究,探索生长温度对Al_xGa_1-xAs材料中非故意C掺杂浓度的影响规律,揭示Al_xGa_1-xAs材料中Al-C键的含量变化对Al_xGa_1-xAs材料导电类型的转变影响以及作用机理。最后,对P型Al_xGa_1-xAs材料的掺杂特性进行研究,探索高质量Al_xGa_1-xAs薄膜材料的生长技术方案,为Al_xGa_1-xAs材料在光电器件的制备和应用提供技术支撑,为我国的高性能的光电领域的发展提供技术储备。