Ⅲ族氮化物宽禁带材料的研究与应用是目前半导体行业的前沿和热点，主要包括GaN、InN、AlN及其三元和四元合金(InGaN，AlGaN，InAIN和AlI......

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子......

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子......

三元合金氮化铟镓(InGaN)由于其禁带宽度能够在0.7eV(近红外)-3.4eV(近紫外)连续调节而受到各国科学家及学者广泛的研究。特别是高......