利用 3UCVD技术在p型 4H SiC上制备了栅氧化层 ,其正的氧化物电荷密度仅有 1 6× 1 0 1 1 cm- 2 ,这一结果优于传统的热氧化工艺 ......

MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生......