高电子迁移率器件相关论文
GaN高电子迁移率器件(GaN HEMTs)在微波射频和电力电子领域有着广阔的应用前景.为了追求更高的击穿特性,AlGaN沟道HEMTs器件正受到......
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体Ga......
随着半导体技术的不断发展，其在高速、高频、高压等应用领域的需求愈发强烈。GaN材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度宽、击穿电......
介绍了几类常见的基于AlGaN/GaN HEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术--倒装芯片集成(FC-IC)和共平......
成功研制了栅长为0．15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2txm的InP基In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件．室温下，当器......
研究了AIGaN／GaN HEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时，器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数......
