采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发......

用分子束外延（molecular beam epitaxy,MBE）方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。......

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20nm、单边6掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱，根据量子阱平面与磁......