隧穿模型相关论文
近年来,研究人员发现纳米裂纹可以广泛用于制作应变传感器,纳米裂纹应变传感器通常由带有纳米裂纹的导电层和柔性可拉伸的聚合物层......
本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧......
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
为研究量子点发光器件结构与性能的关系,制备了以CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层,Alq_3作为电子传输层的量子......
随着微电子与电力工程技术领域的迅速发展,对可用于航天发动机和重型燃气轮机等高温系统中在线监测的长寿命高精度高温压力传感器......
学位
本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜,并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质.实验结果表明,硅尖上纳米金刚石膜的场......
本文由五部分组成。其中前三部分为综述，后两部分为自己的研究工作。 在第一部分中，我们主要综述了有关黑洞热力学的一些基本概念......
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采用高温熔融法制备了Tb^3＋掺杂ZnO-B2O3-SiO2玻璃，通过荧光光谱、余辉衰减曲线、热释发光光谱以及紫外-可见吸收光谱等方法的测试分......
为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧......
2000年，通过把霍金辐射等价地看成是来自于视界面内部附近的真空涨落，Parikh和Wilczek为解决霍金辐射理论中存在严重的信息丢失问题......
随着科技的发展,人们对未来器件的要求是尺寸更小、集成密度更高、耗能更低。纳米器件代替微米器件将是器件发展的趋势。一维纳米......
在45nmCMOS工艺进入商业化生产的今天,为避免超薄栅介质的引入所导致的栅极漏电流影响器件的可靠性,业界已普遍采用高k材料取代传......
