隧穿晶体管相关论文
降低晶体管的功耗是后摩尔时代半导体技术发展的需求。隧穿晶体管（TFET）的亚阈值摆幅可以低于60 mV/dec,从而减少供应电压,降低动态......
太赫兹射线是一种介于微波和红外之间的射线,具有频率高、穿透能力强、生物无损害等显著优点,在宽带通信、雷达、电子对抗、医学成......
随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重,一个重要原因就是电路的电源电压不能随器件尺寸的缩小而减小。由于MOS......
由于目前个人终端设备有逐渐小型化甚至微型化的趋势，功耗问题成了人们关注的焦点。由于传统的MOSFET物理机制的限制，在低功耗应用方......
本文主要包括“新型动态随机存储器设计”以及“Zn0纳米线／Si异质结的制备及特性研究”这两个部分。第一部分主要围绕“新型动态随......
随着器件尺寸的不断缩小以及集成电路中晶体管密度的不断增加,针对新型小尺寸器件的设计和研究也变得更为重要,其中隧穿型晶体管作......
对环栅纳米线结构的隧穿场效应晶体管进行建模分析，给出电流解析模型，证明隧穿场效应管有良好的亚阈特性。研究发现，环栅纳米线隧穿场......
伴随着微电子技术不断发展的脚步,电子产品最核心的元器件—金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effec......
传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型......
