镍硅化物相关论文
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不......
报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为......
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能......
本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物......
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800&#......
深亚微米尺度（90 nm）下,对在金属Ni膜中加入微量Pt,再经过高温退火形成NiSi.对该固相反应的反应序列进行了研究.研究发现Ni2Si-to-Ni......
首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法。依据此方法，摸索出在Ni中分别以夹层金属掺入Pt、Mo、Zr、W金属来......
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖而透射电镜（XTEM）对样品的NiSi／Si界面进行了研究．在未掺杂和掺杂（包括As和B）的硅衬底上通过物理......
为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用......
随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,与之相应的自对准硅化物（SALICIDE）材料和工艺也在不断发展创新。由于窄线条效应......
随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。......
金属硅化物在集成电路制造技术中起着非常重要的作用。金属硅化物主要应用在源漏电极和硅栅电极与金属之间的接触。其中自对准硅化......
40纳米工艺虽然在国际上已经得到量产,但在国内仍属于最先进的技术。本文详细介绍了40纳米工艺镍硅化物的开发和改进研究；对40纳米......
随着CMOS集成电路制造技术持续向纳米级工艺推进,与之相应的自对准硅化物(SALICIDE)材料和工艺也在不断的发展创新。最新的研究表......
学位
硅化镍(NiSi)因具备低硅耗、低电阻率、低热预算、没有明显线宽效应等特性,被广泛应用于源漏极接触部分和栅极与金属的接触部分中......
