键稀疏相关论文
本文在有效场理论的框架内，基于简立方晶格讨论了自旋为1的键和晶场稀疏B1ume-Emery-Griffiths(BEG)模型的临界行为和磁学性质。键......
本文在有效场理论的框架内,基于简立方晶格讨论了自旋为S=1的键稀疏和随机晶场Blume-Emery-Griffiths(BEG)模型的临界行为和磁学性......
利用有效场理论和切断近似，研究简立方格子在二模外场作用下键稀疏铁磁混合自旋1／2和1的Blume-Capel模型的磁化．在M-T空间中，重入磁化......
本文在有效场理论和切断近似的框架内,研究了外场作用下混合自旋Blume-Cape1模型的临界性质和补偿行为。首先主要研究了三模外场下......
在有效场框架下，对正负晶场作用的键稀疏BC模型（BCM）的相变进行了研究．具体分析了三临界点（TCP）随正负晶场和键稀疏这两种无序因子的变化......
具有强磁性的铁磁体在温度高于居里温度时转变成磁性很弱的顺磁体，即为铁磁-顺磁二级相变。随着系统内禀场或外场的作用，系统居里温......
