本文在有效场理论的框架内，基于简立方晶格讨论了自旋为1的键和晶场稀疏B1ume-Emery-Griffiths(BEG)模型的临界行为和磁学性质。键稀疏，晶场稀疏和晶场，偶极与偶极相互作用和交换相互作用的比率之间的相互影响使BEG模型展示出一些新颖的现象。负晶场下，正比率α在一定范围内变化时，T-D平面内相变曲线中出现双三临界点。双三临界点之间的一级相变在一定晶场稀疏浓度下随α的增大而被扩大，而在一定键稀疏浓度下随α的增大呈收缩趋势。T-p平面内在负晶场和α>0时，系统存在两个不同的键浓度阈值。在外场下，键和晶场稀疏的共同作用使起始磁化曲线呈现出一种不规则的行为。磁化率曲线的峰值明显降低。平面M-T内，在较大负晶场和比率α为正时，磁化曲线表现出不连续性，并在一个受限制的磁场小区域内呈现出垂直跳跃。在χ-1-T平面内，磁化率曲线表现出与实验结果定性相似的结果。当α<-1l时，相图中同时给出了铁磁一顺磁的相界，交错磁一顺磁的相界和它们的交点双临界点。讨论了两种稀疏因子，各向异性参量和比率口对相界线和双临界点行为的影响，并得到了一些有意义的结果。