本文在有效场理论和切断近似的框架内,研究了外场作用下混合自旋Blume-Cape1模型的临界性质和补偿行为。首先主要研究了三模外场下混合自旋BCM的临界性质和磁化行为,在T-H空间负晶场和三摸外场浓度的变化对三临界点,二级相变以及基态的外场简并都有很大的影响,T-D空间,一定条件下三临界点呈现弧形曲线或者相图会出现两个三临界点,系统不仅在M-T空间可能存在单双温度补偿点,在M-H空间当三模外场浓度,温度以及负晶场满足一定条件时同样会存在单双磁补偿点。其次,研究了二模外场下键稀疏混合自旋系统的BCM的性质,其相图与补偿行为表现出了新的特征。T-D空间体系总是存在三临界点,而在T-H空间三临界点仅存在于负晶场较小或较大的范围内,键稀疏的引入能够抑制三临界点。文中还讨论了键渗流阈值时晶场和二模外场对诱导磁有序的影响,系统在M-H空间可能会出现一个或两个磁补偿点,键稀疏对一个或两个磁补偿点的变化范围有影响。最后,讨论了外场与横场作用混合自旋BCM的磁化行为,在M-T空间不同子格的横场的变化会使系统出现单补偿点和双补偿点的晶场区域发生变化。在M-H空间,当不同子格受横场作用,负晶场较大时都会出现单个磁补偿点,但是磁化曲线有着很大的差异。文中还研究了不同子格横场的变化以及温度对此体系的影响。