钴掺杂相关论文
基于第一性原理的密度泛函理论,利用平面波超软赝势方法计算了纯锐钛矿相TiO2及Co掺杂TiO2的晶体结构、带隙、态密度及其光吸收系......
四环素类抗生素废水作为具有高生物毒性和低可生化性的难降解有机废水,被视为污水处理领域的难点之一。而非均相类Fenton技术是基......
二氧化钒（VO2,Vanadium dioxide）在接近室温时（341K）会发生可逆的绝缘-金属转变（IMT,Insulator-Metal Transition）,并伴随着在太赫兹（THz,......
采用脉冲电沉积法制备了钴掺杂二氧化锰超级电容器材料.利用XRD和SEM分别测定了物质的结构和形貌.结果显示合成的是γ型多孔状的二......
实验通过溶剂热结合酯化反应合成了Co掺杂的一系列LiFe1-xCoxPO4/C (x=0,0.005,0.01,0.015,0.02 and 0.025)纳米片,乙二醇做溶剂.S......
以无水氯化镍、氯化钴、乙醇和正丁醇为前驱液,加入适量的柠檬酸为稳定剂,通过回流、水解得到稳定的溶胶;采用浸渍-提拉的方法在IT......
本文采用固相球磨法制备了(Cu1-xCox)2-W 型钡铁氧体粉体。利用X 射线衍射仪及扫描电子显微镜 对铁氧体粉体相组成及颗粒形貌进行......
本文,运用一步水热法成功制备了一系列不同结构的钴掺杂的碳酸锰多级结构材料.实验中,通过控制单一变量(掺杂物钴)在N,N-二甲基甲......
元素掺杂是提升催化剂性能的重要方法.研究采用快速沉淀法制备了钴掺杂氧化铜(Co-doped CuO)纳米催化材料,在可见光条件下,20 min......
期刊
随着人类社会的不断进步,对便携式储能设备的需求越来越多。电池和超级电容是其中使用最为广泛的,超级电容由于功率密度高,稳定性......
通过测定三甲胺气体浓度的方法,常被用来判断鱼类腐败程度.为构建高性能三甲胺气敏传感器,研究制备了钴掺杂二氧化钛(Co doped TiO......
采用脉冲电沉积法制备了Co掺杂的二氧化锰超级电容器电极材料。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)等方法对电极材料......
采用剥离-重堆积的方法将聚合羟基锆离子和Co2+混合溶液嵌入到钛酸盐板层间,制得了钴掺杂锆柱撑材料(CZPT),考察了Co对锆柱撑复合......
功能配合物的合成及其应用价值的开发一直以来都是化学工作者的研究方向之一,本课题组在2016 年于Angew.Chem.Int.Ed.报道了高......
本研究应用简单溶液回流及煅烧处理方法制备出钴掺杂氧化锌纳米颗粒/还原氧化石墨烯(Co-doped ZnO NPs@rGO)复合材料.实验发现......
本文采用化学共沉淀方法制备了一系列尖晶石铁氧体MxNi0.7-xFe2.3O4(M=Cr,Co且0.0≤x≤0.3)和CrxNi0.7Fe2.3-xO4(0.0≤x≤0.3)......
本文以氯化钴和尿素为原料,通过一步热缩合法制备出钴掺杂石墨相氮化碳(Co-g-C3N4).与纯石墨相氮化碳(g-C3N4)相比[1],Co元素......
本文通过静电纺丝法制备了纯的以及钴掺杂的二氧化锡纳米纤维,并通过X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FESEM)对形貌和微观结......
随着抗生素滥用的情况越来越严重,抗生素污染已经成为当今亟需解决的难题。充分利用太阳能资源,开发高效的光催化剂是解决这一难题......
半导体芯片制造业的特征尺寸不断缩小,已经接近传统硅基材料的物理极限。二维材料由于其原子层厚度而备受关注,二硒化钼由于其独特......
学位
石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种非金属聚合物半导体材料,具有合适的能带位置、可见光活性以及稳定的物理化学性质,这些特性使其成为光......
近年来,锂硫电池因其在电动汽车、卫星、无人机和其他储能设备上具有广阔的应用前景而受到了越来越多的关注。硫正极具有较高的理......
氧化锌（ZnO）,室温条件的稳定结构状态为六角铅锌矿结构,II-VI族半导体材料,具有优秀的物理化学性质,因为其优秀的量子转换效率和光催......
利用CS-m-D六面顶压机,对钴掺杂氧化锌Zn1-xCoxO(x=0,0.02,0.05,0.1)纳米粉末样品,在温度为600℃和压力为常压、4 GPa、6 GPa的条......
通过混酸来纯化多壁碳纳米管(MWCNTs),采用静电纺丝技术制备了MWCNTs/Zn096Co004O复合纳米纤维.采用TGA、XRD、FT-IR、SEM和TEM等......
期刊
采用溶胶-凝胶法制备了钴掺杂二氧化钛粉体(Co-TiO2),采用XRD、UV-Vis方法对其进行表征和分析。结果表明,Co 掺杂降低了TiO2 ......
通过离子注入和脉冲激光熔融制备了钴掺杂单晶硅样品,当掺杂浓度高于Mott极限(6×1019cm-3)时,钴掺杂层呈金属特性.钴掺杂层和P型......
将量子点的优势(如可在量子点表面化学修饰功能基团或装饰识别受体)与室温磷光(RTP)的优势(如避免体系的自荧光与散射光)相结......
本书是中国物理学会2008年秋季学术会议论文摘要集（上卷），本次大会主要讨论了光子对撞机上双重重子的产生、超对称场的圈正规化以及等......
以TEOS为硅源,CTAB为模板剂,通过溶胶-凝胶法合成了不同钴掺杂量的球形MCM-41介孔分子筛,考察了各种因素如合成时间、温度、钴源、......
In2O3作为优秀的半导体材料在光催化领域,例如在光催化水产氢、产氧反应中具有良好的应用。但是由于In203较大的禁带宽度阻碍了其......
ZnO作为一种性能优良的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,室温下宽禁带,高束缚能的性质使其在发光器件,太阳能电池、传感器等方面表现出了广泛的......
酸性水钠锰矿层内主要是Mn4+，Mn3+主要存在于空位上下方。对酸性水钠锰矿掺钴的研究表明，钴主要以Co3+的形式通过替代Mn4+存在于锰氧......
锂离子电池(LIBs)由于容量大,体积小,安全便携以及清洁无污染等特点已在许多方面被开发成为重要的能源存储设备,比如电子产品,人造......
通常ZnO是纤锌矿结构的宽禁带半导体材料，室温下的禁带宽度约为3.37eV，具有优异的光学和电学特性，在透明导电薄膜等方面得到广泛的应......
本文以FeSO4·7H2O（A.R.）、CoSO4·7H2O（A.R.）和H2C2O4·2H2O（A.R.）作为原料,采用室温固相法制备获得了纳米γ-CoxFe2-xO3（x = 0 0.3）的前......
电致变色是指材料的光学性能(透射、反射和吸收等)在外加电场的作用下产生稳定可逆变化的现象,在外观上表现为颜色及透明度的稳定......
ZnO是一种常见的半导体材料,可以较为容易的产生光致发光或者受激辐射,具有很好的应用前景,有着广泛的应用价值,ZnO单晶可以相对容......
面对化石燃料日益燃烧后带来的副产品(如碳氧化物、氮氧化物)所造成严重的环境污染,人们有必要开发可再生且可持续利用的能源。氢......
随着无线电子终端设备的不断普及，市场对可充高能量密度电池的需求量越来越大，而这些又极大地推动了锂离子电池地迅猛发展。众所周知......
