轻掺杂漏相关论文
近年来,MOSFET器件尺寸在摩尔定律的指引下不断减小。随着MOSFET器件尺寸的不断减小,短沟道效应和量子效应对器件性能的影响变的日......
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体Ga......
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度......
对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDD NMOS器件的退化呈现出新的特点.通过实验与模拟分析,得出了热载流......
本文研究了轻掺杂漏工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量。优化的SiO2侧墙LDD工艺有效地抑制了短沟道效应。研制成......
从Synopsys TCAD的软件模拟出发,基于0.8μm标准CMOS工艺,通过重新设计高压N阱,以及优化器件LDD区域注入剂量,成功研制了栅长0.8μm击穿......
几十年来器件尺寸遵循着等比例缩小定律持续减小,随着MOSFET器件特征尺寸进入亚100nm至纳米级,器件的很多技术指标已经接近其物理......
学位
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,以其禁带宽度大、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等特点成为研究的热点,尤其是在高温、大......